歐姆降為電流流過電解質(zhì)引起的電位差，在電化學中，通常是由于電解質(zhì)或其他界面的電阻引起的。

在伏安系統(tǒng)中，因為歐姆降的影響，它的施加電位應為E(t)=Ei+VbT-RI(t)，Ei為極化電位，Vb為掃描速率，t即為時間。

歐姆降會影響測得曲線的形狀，也能令我們的分析結果出錯。在某些應用中，需要特別注意歐姆降的影響。

下面的這個實驗將展示歐姆降如何影響我們的測量結果。測試體系將旋轉(zhuǎn)圓盤鉑電極（2000rpm）作為工作電極，飽和甘汞電極作為參比電極，鉑絲作為輔助電極，測試溶液為0.6mM鐵氰化鉀/0.5M KCL電解質(zhì)。測試技術為線性掃描，掃描范圍0.5V至-0.5V掃速20mV/s。

正常狀態(tài)測試一次后，在工作電極后串聯(lián)100歐姆電阻模擬歐姆降電阻再測一次。

在數(shù)據(jù)對比中可以清楚的看到歐姆降的影響，串聯(lián)電阻后的藍色曲線結果與正常測試結果對比產(chǎn)生了明顯的偏差。在相同電流時引起的電位差別就是因為串聯(lián)進體系的電阻引起的，比如在電流為-500μA時，電位分別為150mV和98mV，與我們串聯(lián)進體系中的100歐姆電阻影響相對應。

同樣，在循環(huán)伏安中歐姆降也會對數(shù)據(jù)結果產(chǎn)生影響。

可以看到在循環(huán)伏安曲線中藍色曲線在峰電位及峰高都有一定偏差。